دانلود مقاله ORCAD پلی میان کامپیوتر و الکترونیک

Word 736 KB 4973 24
مشخص نشده مشخص نشده کامپیوتر - IT
قیمت قدیم:۱۶,۰۰۰ تومان
قیمت: ۱۲,۸۰۰ تومان
دانلود فایل
  • بخشی از محتوا
  • وضعیت فهرست و منابع
  • برای سیم کشی کردن قطعات : بر روی گزینه PLAC WIR که به شکل است در منوی سمت راست کلیک می کنیم باید توجه داشت که درکلیه مدارها باید از ارت (زمین) استفاده کرد وارد کردن واحد کلیه قطعات : N (نانو) U (میکرو) p (پیکو) MEG (مگا ) M (میلی ) برای وارد کردن مقادیر عناصر روی عددی که به صورت پیش فرض جلوی انها نوشته دابل کلیک می کنیم آنالیز کردن مدار ترسیم شده : بعد از کشیدن مدار باید ان را انالیز کنیم برای این کار روی گزینه NEW SUMALAITON PROFILE در نوار بالای نرم افزار کلیک می کنیم پنجره ای باز می شود که از ما نامی میخواهد ان نام را وارد می کنیم وگزینه CREATE را می زنیم .

    پنجره به نام SUMA LAITON SETTING باز می شود و به صورت پیش فرض در سر برگ ANALYSIS قرار دارد .چنانچه مدار طراحی شده دارای مقادیر DC است در قسمت ANALGSIS TYDE گزینه BIAS POINT (این انالیز می تواند مدار را به صورت DC بررسی کند .) را انتخاب کرده وOKمی کنیم برای اعمال کردن تنظیمات روی گزینه RUN کلیک می کنیم حال با کلیک کردن روی کلید های در همین نوار ابزار می توانیم مقادیر جریان ولت وتوان محاسبه شده توسط نرم افزار را ببینیم .

    نکته 1 : در صورت استفاده از منابع وابسته باید به این نکته توجه کنیم که منبع ولتاژ یا جریانی که در دایره است تولید کننده است ومنبع دیگر باید به نقطه ای وصل شود که می خواهیم وابستگی به انجا را نشان دهیم نکته2 : در استفاده از قطعات چنانچه از کتابخانه های غیر از پوشه PSPICE استفاده کنیم ممکن است در هنگام کار ERROR بدهد پس بهتر است از قطعات این پوشه استفاده کنیم .

    نکته 3: برای تغییر ضرایب منابع وابسته روی منبع دابل کلیک می کنیم و در قسمت GAIN ضریب مورد نظر را تایپ می کنیم .

    مراحل نصب وچگونگی استفاده از نرم افزار برای جستجو کردن قطعه: برای جستجو کردن قطعه باید اینگونه عمل کرد * (نام قطعه مورد نظر ) مثال *Q2N2219 برای جابجا کردن قطعه: به وسیله موس میتوان ان را دراگ کرد ویا بعداز انتخاب ان با کلید های چهار جهته این کار را انجام داد .همچنین برای چرخاندن قطعه به صورت افقی یا عمودی می توان طبق زیر عمل کرد...

    (1) عمودی MIROR VERTICALLY انتخاب قطعه◄کلیک راست (2)افقی MIROR HORIZANTALLY در مورد منابع وابسته : E : منبع ولتاژ وابسته به ولتاژ F : منبع جریان وابسته به جریان G : منبع جریان وابسته به ولتاژ H : منبع ولتاژ وابسته به جریان آنالیز BAIS POINT کار عملی (1) :آنالیز BAIS POINT مدار های شکل زیر را تو سط انالیز BAIS POINT تحلیل کرده وهر کدام را با نام متفاوت ذخیره کنید .

    BAIS POINT برای تحلیل وآنالیز کردن مدار های DC است .

    ابتدا هر یک از این مدارها را توسط فرمول های مختلف حل کرده و مقادیر خواسته شده را از این فرمول ها به دست اورید TEST1 I1,I2,I3=?

    I1=15 Kvl2:2I2=3(I2-I3)+1(I2-I1)=0 6I2-3I3=15 KCL:I3=I1+Vx/9 Vx=3I3-3I2 I3=15+1/9(3I3-3I2)= I3=15+1/3 I3 -1/3I2-1/3I2-2/3I3+15=0 -1/3I2-2/3I3+15= 0 →-1/3I2-2/3I3= -15 6I2-3I3=15 6I2-3I3=15 -1/3I2-2/3I3= -15 → -6I2-12I3=-270 → I3=-255/-15=17 I3=17 I2=?

    6I2-(3*17)=15 → I2=15+(3*17)/6=11 I2=11 TEST 2 V1,V2,V3 = ?

    KCL1:-4.8+V1/7.5+(V1-V2)/2.5=0 SN: V1-V2/2.5+V2/10+V3/2.5+V3-12/1=0 =4V1-4V2+V2+4V3+10V3-120=0 SN: V3-V2=IX کمکی IX=V1/7.5 کمکی جایگذاری7.3*(V3-V2=V1/7.5) → 7.5V3-7.5V2=V1 → 7.5V3-7.5V2-V1=0 ادامه صفحه بعد....

    آنالیز BAIS POINT حال باید معادله سه مجهولی زیر را از طریق روش کرامر حل کنیم.در نهایت جواب برابر می شود...

    Kvl: 4V1-3V2=36 V1=15 SN: -4V1+5V2+14V3=120 V2=8 -V1-7.5V2+7.5V3=0 V3=10 TEST3 VAB= ?

    I=?

    VAB= VCD= -20I * 25(-500I) KVL : -5+2000I+3( -500I)=0 -5+2000I-1500I=0 → I=5/500=.01A → VAB=-500*.01=-5 I=.01 VAB=-5 TEST1 I1,I2,I3=?

    I1=15 I2=11 I3=17 TEST 2 V1,V2,V3 = ?

    V1=15 V2=8 V3=10 آنالیز BAIS POINT TEST3 VAB= ?

    I=.01 VAB=-5 TEST5 Vce:8.9 mA Ic:33.56mA IB:?31.06mA آنالیز TIME DOMAIN کار عملی (2) :آنالیز TIME DOMAIN در انالیز قبلی چنانچه بخواهیم VTHمدار را محاسبه کنیم فقط می توانستید ولتاژ عناصر را نسبت به زمین محاسبه کنید .

    در این انالیزبه وسیله پراب هایی که در نوار RUN است می توانیم این کار را به راحتی انجام دهیم یعنی ولتاژ نقطه (A.B) یا VTH را به راحتی توسط این پراب ها به دست اورد.این پرابها عبارتند ...

    این پراب می تواند ولتاژ نقطه مورد نظررا نسبت به زمین محاسبه کند این پراب برای محاسبه ولتاژ بین دو نقطه نسبت به هم میباشد این پراب برای محاسبه جریان عبوری از یک عنصر استفاده میشود این پراب برای محاسبه توان مصرفی یا اعمالی به مدار استفاده میشود نکته مهم: با توجه به این که RTH= VTH /ISC و ISC اتصال کوتاه است وهمچنین با توجه به این که پراب محاسبه جریان باید در محل اتصال عنصر وسیم قرار گیرد برای محاسبه ISC یک مقاومت خیلی کم در مدار میگزاریم وجریان را به دست می اوریم .

    هنگامی که گزینه TIM E DOMANTرا در منوی ANALYSIS TYPE انتخاب می کنیم گزینه هایی وجود دارد واز ما می خواهد که تکمیل کنیم .

    این گزنیه ها عبارتند از...

    RUN TO TIME :بازه زمانی که شکل موج را نشان میدهد START SAVING DATA AFTTER :زمان شروع نشان دادن شکل موج MAXIMUM STEP SIZE :مقدار دقت در ترسیم شکل موج(هرچه کمتر باشد دقت ان بیشتر است) Rth=Vth/Isc= 40/10mA = 4000 = 4 kΩ Rth=Vth/Isc= 200k/2m=100Ω آنالیز DC SWEEP کار عملی (3) :آنالیز DC SWEEP :توسط این انالیز می توان منحنی مشخصه نیمه هادی هایی همانند دیود معمولی دیود زنر ترانزیستورBJT ترانزیستورJFET ومنحنی مشخصه های نیمه ورودی انتقالی و خروجی و همچنین قضیه انتقال توان ماکزمیم می پردازیم .

    همانطور که میدانیم برای اینکه در یک شبکه الکتریکی پیچیده یا ساده خطی ماکزیمم توان به مصرف کننده منتقل شود, باید مقاومت مصرف کننده رابرابر مقاومت تونن قرار دهیم که این کار توسط آنالیز DC SWEEP انجام میشود.لذا مراحل زیر را در نظر می گیریم...

    1):مدار مورد نظر رادر صفحه اصلی رسم می کنیم .

    2): از کتابخانه SPECIAL قطعه PARAM را اورده و در کنار مدار رسم شده قرار می دهیم.

    این قطغه به مدار وصل نمی شود با دابل کلیک روی این قطعه(NEWCOLUM) را انتخاب کرده ویک نام مناسب را برای NAME انتخاب نموده RL و عدد 1 را در VALUE انتخاب نموده وبا تایید ان در صفحه مربوطه ستونی اضافه شده و مقدار RL 1 در نظر گرفته شده است.

    سپس از این صفحه خارج شده و به صفحه اصلی باز می گردیم .

    3): از روی مسئله نام مقاومتی که آن را به عنوان مقاومت بار در نظر گرفته ایم کلیک کرده و به صورت {RL} می نویسیم وهمچنین بروی مقدار پیشفرض 1KΩ این گونه وارد می کنیم.

    4):پراب توان(W) بروی مقاومت RL قرار می دهیم.

    5): ضمن انتخاب نامی برای انالیز نوع آنالیز راDC SWEEP انتخاب می کنیم و در همین صفحه گزینه GLOBAL PARAMETER را علامت دار کرده و در قسمت PARAMETER NAME نام RL را می نویسیم ومقادیر مناسبی برای قسمت SWEEP TYPE یادداشت می کنیم.

    توجه داشته باشید که مقدار شروع باید عددی غیر از صفر باشد و با یادداشت مقدار پایان ومقدار دقت, انها را تایید کرده واز صفحه خارج می شویم و در نهایت مدار را RUN می کنیم.

    در جدول کشیده شده محور افقی انگر مقاومت RL و محور عمودی بیانگر توان می باشد.

    آنالیز DC SWEEP کار عملی (4) :کاربردهای دیگر آنالیز DC SWEEP :همانطور که در جلسه قبل توضیح داده شد یکی از کاربردهای آنالیز DC SWEEP رسم منحنی مشخصه دیودها است.

    در این جلسه به بررسی چگونه دست آوردن منحنی دیود زنر 1N4617 همچنین به دست اوردن ولتاژ هدایت و ولتاژ سوختن دیود معمولی1N4001 می پردازیم.

    1): منحنی ولتاژ دیود زنر1N4617 : 1): ابتدا مدار روبرو را رسم می کنیم(نکته: نیازی به دادن مقدار به منبع نیست) 2): وارد آنالیز DC SWEEP شده و در قسمت VOLTAGE SOURCE نام منبع ولتاژ (V1) را وارد می کنیم.

    3): همان طور که می دانید یک دیود زنر در بایاس مستقیم کاملا همانند دیود معمولی عمل می کند و ولتاژ دو سر ان هم مانند دیودمعمولی است.ولی در بایاس معکوس هنگامی که ولتاژآند کاتد آن (VAK) به حد معینی رسید در بایاس معکوس شروع به هدیت می کند .

    از این رو برای مشاهده منحنی ولتاژ ان طبق انچه گفته شد باید ولتاژ شروع را عددی بزرگ و منفی (مثلا 45) و مقدار پایان را عددی بزرگتر از 7/0 درنظر بگیریم.

    4): با توجه به اینکه منحنی ولتاژ دیود زنر، تغییرات جریان دیود ( ID) را نسبت به ولتاژ آند کاتد(VAK) مورد بررسی قرار می دهد،پس باید خط افقی یا محور X بر حسبVAK و محور عمودی یا محورY بر حسب ID باشد .

    حال برای تعیین محورX به منظور VAK وارد مسیرPLOT ◄AXIS SETTING شده وسپس در سربرگ XAXIS گزینه AXIS VARIABLE رازده در پنجره X AXIS VARIBLE ولتاژ آند کاتد را بصورت فورمول روبرو تایپ کرده وOK می کنیم.(شکل صفحه بعد) V(D1:A)-V(D1:K) حال برای تعیین محورX به منظور VAK وارد مسیرPLOT ◄AXIS SETTING شده وسپس در سربرگ XAXIS گزینه AXIS VARIABLE رازده در پنجره X AXIS VARIBLE ولتاژ آند کاتد را بصورت فورمول روبرو تایپ کرده وOK می کنیم.(شکل صفحه بعد) V(D1:A)-V(D1:K) 5): در این مرحله برای اعمال ID بر محورY روی گزینه ADD TRACE کلیک کرده وگزینهID1 را انتخاب ودر نهایت OKمیکنیم .

    منحنی ولتاژ دیود 1N4001 :هدف از این ازمایش به دست اوردن مقدار ولتاژ سوختن دیود است برای این کار دیود را به صورت مدار زیر می بندیم .

    برای به دست اوردن منحنی این دیود کافی است مراحل مربوط به دیود زنر را انجام داد.

    با این تفاوت که ولتاژ سوختنVBR در حد بیشتری است (75-) که برای واضع بودن بهتر است مقدار(100 -) منظور شود مقدار ولتاژVBR در صفحه بعد نشان داده شده است .

    لازم به یاداوری است که در بعضی مواقع اندیس1 به جای اند(A) و اندیس 2 به جای کاتد(K) به کار می رود.

    V(D1:A)-V(D1:K)طریقه نشان دادن کار عملی (5) : توضیحی مختصر در موردآنالیز DC SWEEP: درOPTION این انالیز دو گزینه1):PRIMARY SWEEP (سوییپ اولیه) و گزینه2):SECONDARY SWEEP (سوییپ ثانویه) وجود دارد که در حالت پیشفرض گزینه SECONDARY SWEEP غیرفعال است واین گزینه برای مداراتی است که بخواهیم تغیرات یک منبع را مورد برسی قرار دهیم .

    SWEEP VARIABLE:د ر این قسمت گزینهای 1):VOLTAGE SOURCE وCURENT SOURCE وجود دارد که VOLTAGE SOURCEتغیرات منبع ولتاژ مد نظر را مورد بررسی قرارمی دهد که در قسمتNAME نام منبع ودر قسمتSWEEP TYPE هم تغیرات ان را وارد می کنیم وگزینه CURENT SOURCE هم تغیرات منبع جریان را مورد بررسی قرار می دهد وسایر گزینه ها مثل بالا است.

    چگونگی اعمال مقادیر منابع به وسیله ORCAD:زمانی که تنها سوییپPRIMARY فعال است نرم افزار ORCADباتوجه به نوع منبع و مقادیر انتخابی شما به صورت زیر عمل میکند...

    1): فرض کنید منبع ما یک منبع ولتاژ است که مقدار شروع 0 ،مقدار پایان 10،ود قت ان 1 است وچیزی که الان می خواهیم مشخص کنیم منحنی مشخصه ورودی است...

    1): ابتدا ORCAD باید ولتاژVBE وIB را به ازای مقدار شروع منبع مورد نظر ما(0) به دست اورده ونقطه مورد نظر را بروی صفحه مختصات ترسیم کند 2): سپس به اندازه دقت انتخابی ما به مقدار شروع اضافه کرده ومرحله 1 را دوباره انجام می دهد تا زمانی که به مقدار پایانی برسد ودر نهایت 3): نقاط به دست امده را به هم وصل میکند ولی چنانچه علاوه برPRIMARY SWEP گزینهSECONDARY SWEEP هم فعال باشد نرم افزارORCAD به صورت زیر عمل می کند .فرض کنید مقدارPRIMARY SWEEP مثل قبل باشد ومقادیرSECONDARY SWEEP هم به صورت زیر باشد شروع0 ، پایانµ 80 و دقت ان µ 20 است ومنحنی مشخصه خروجی مد نظر باشد 1): برنامهORCAD ابتدا مراحل قبل را برای به دست اوردن ولتاژ کلکتور امیتر وجریان کلکتور باتوجه به مقادیر انتخابیPRIMARY SWEEP انجام می دهد 3): چون در اینجا انالیز مدار به ازای تغیرات دو منبع می باشد بنابر این اولین منحنی رسم شده به ازای مفدار شروع منبع دوم میباشد.4): در مرحله بعد ORCADهمان مراحل را برای منبع جریانی که در قسمتSECONDARY SWEEP مشخص کرده ایم تکرار می کند واز مقدار شروع (0) به دقت µ 20شروع به دست اوردن نقاطی کرده تا به مقدار پایان µ80 برسد ودر نهایت با وصل نقاط، منحنی را به دست می اورد.

    منحنی مشخصه ورودی ترانزیستورBJT : مراحل کار1): ابتدا مدار روبرو را رسم می کنیم 2 ): بعداز ساخت یک انالیز جدید نوع انالیز راDC SWEEP انتخاب می کنیم3): در قسمت SWEEP VARIABLE نام منبع جریان را تایپ می کنیم ودر قسمتSWEEP TYPE مقادیر را به درستی انتخاب می کنیم(مثلا شروع 0،پایان µ80 ودقت µ1) 4): در مرحله بعد دکمهOK را زده و مدار را RUN می کنیم .5 ): از منویPLOT وارد گزینهAXIST VARIABLE

  • فهرست:

    ندارد.


    منبع:

    ندارد.
     


تحقیق دانش آموزی در مورد دانلود مقاله ORCAD پلی میان کامپیوتر و الکترونیک, مقاله دانشجویی با موضوع دانلود مقاله ORCAD پلی میان کامپیوتر و الکترونیک, پروژه دانشجویی درباره دانلود مقاله ORCAD پلی میان کامپیوتر و الکترونیک

شهر الکترونیک یک اختراع و یا یک پیشنهاد نوآورانه نیست بلکه واقعیتی است که بر اساس نیاز جای خود را باز می‌کند اگر امروز چشم خود را بر نیاز ببندیم فردا باید با پرداخت هزینه بیشتر قدم در اجرای آن بگذاریم   شهر الکترونیک چیست؟ شهر الکترونیک یکی از خاستگاه‌های مدیران شهری و شهروندان در عرضه کردن و مورد استفاده قرار دادن خدمات شهری است. شهر الکترونیک عبارت از شهری است که اداره ...

نانوتکنولوژی چیست؟ کامپیوتر ها اطلاعات را تقریبا" بدون صرف هیچ هزینهأی باز تولید مینمایند. اقداماتی در دست اجراست تا دستگاههایی ساخته شوند که تقریبا" بدون هزینه - شبیه عمل بیتها در کامپیوتر - اتمها را به صورت مجزا بهم اضافه کنند ( کنار هم قرار دهند). این امر ساختن اتوماتیک محصولات را بدون نیروی کار سنتی همانند عمل کپی در ماشینهای زیراکس میسر میکند. صنعت الکترونیک با روند کوچک ...

پنج سال وقت صرف ویندوز ویستا شد، خطوطی از کد که برای چندین بار پوشاندن کره خاکی کافی است، هزاران ساعت از وقت توسعه‌دهندگان و برنامه‌نویسان که برای نگهداری و بررسی همه آنها به یک سوپرکامپیوتر نیاز داشتند – و سرانجام ویندوز ویستا (Vista) ارائه شد. ویستا شامل تغییرات چشمگیری از جمله امکان قابل لمس بودن صحنه، ساید بار ویندوز متفاوت که تمامی‌اطلاعات از جمله ساعت، پیام‌های الکترونیکی، ...

واحد کنترل تلویزیون از راه دور (RCU) کنترل از راه دور بخشی از دستگاه های الکترونیک، معمولا مجموعه ای از تلویزیون، دی وی دی پلیر و سیستم های سینمای خانگی در اصل برای کار با دستگاه تلویزیون بی سیم از یک فاصله کوتاه خط چشم استفاده می شود. کنترل از راه دور به طور مستمر در طول سال های اخیر تکامل یافته و پیشرفته که شامل اتصال بلوتوث، حرکت سنسور قابلیت را فعال کنید و کنترل صدا است. ...

نانوتکنولوژی چیست؟ نانوتکنولوژی تولید کارآمد مواد و دستگاهها و سیستمها با کنترل ماده در مقیاس طولی نانومتر، و بهره برداری از خواص و پدیده های نوظهوری است که در مقیاس نانو توسعه یافته اند. یک نانومتر چقدر است؟ یک نانومتر یک میلیاردم متر (9-m 10) است. این مقدار حدوداً چهار برابر قطر یک اتم است. مکعبی با ابعاد 5/2 نانومتر ممکن است حدود 1000 اتم را شامل شود. کوچکترین IC های امروزی ...

نانو تکنولوژی، فناوری نوین نانو تکنولوژی فناوری جدیدی است که تمام دنیا را فراگرفته است و به تعبیر دقیقتر "نانو تکنولوژی بخشی از آینده نیست بلکه همه آینده است ".در این مقاله بعد از تعریف نانو به بیان دلایل کاربرد ها و ضرورتهای توجه به این فناوری اشاره شده است . تعریف نانو تکنولوژی نانو تکنولوژی،توانمندی تولید مواد،ابزار ها و سیستمهای جدید با در دست گرفتن کنترل در سطح مولکولی و ...

نانوتکنولوژی مقدمه دل هر ذره را که بشکافی آفتابیش در میان بینی که یکی هست و نیست جز او وحده و لا اله الا هو بشر برای رسیدن به کمال راههای مختلفی را تجربه کرده و می کند و هر راه رسیدن را نامی داده و از آن جمله است:علوم طبیعی،علم ماوراءالطبیعه و ... اگر باور داشته باشیم هر ذره که خلق شده رسیدن به کمال را بزرگترین هدف خود قرار داده است پس علوم مختلف یاد شده در پی جستجوی کمال هستند ...

آزمایش شماره ی 1 Orcadآشنائی با نرم افزار درزمینه الکترونیک به کارمی رودکه سه کارمهمی راکه انجام می دهدعبارتOrcadنرم افزار انداز: 1- رسم شمای ظاهری مدار 2- تحلیل مدارات الکترونیکی 3- طراحی پشت فیبرمدارات الکترونیکی : Orcad درCaptureبررسی قابلیت تحلیل مدارات الکترونیکی درمحیط : هدف ازاستفاده ی این روش بدست آوردن کمیت های ولتاژ، جریان وBias Paint 1- تحلیل توان المان های مختلف ...

در دنیای امروز که ارتباطات جزء لاینفک زندگی بشری شده است،وفضای مجازی فاصله های میلیون کیلومتری بین افراد را از میان برداشته است،برخی مشکلات مثل اختلالات ارتباطی وویروسهای اینترنتی اختلالاتی را در این فضا ایجاد نموده ومانع از جابجایی بهینه ی اطلاعات گشته اند .برهمین اساس افراد بسیاری به طور شخصی یا در غالب امنیتی سعی در حل این مشکل نموده اند.امروزه حتی دول مختلف برای پیشگیری یا ...

نانوتکنولوژی، فناوری جدید است که تمام دنیا را فرا گرفته است و به تعبیر دقیقتر "نانوتکنولوژی بخشی از آینده نیست بکله همه آینده است" . در این نوشتار بعد از تعریف نانوتکنولوژی و بیان کاربردهای آن دلایل و ضرورتهای توجه به این فناوری آورده شده است: تعریف نانوتکنولوژی و آشنایی با آن نانوتکنولوژی، توانمندی تولید مواد، ابزارها و سیستمهای جدید با در دست گرفتن کنترل در سطوح ملکولی و اتمی ...

ثبت سفارش